熱設(shè)計篇--電子器件的熱損耗理論計算（一）
電子器件的耗散功率（俗稱熱損耗）是決定熱仿真精確度的重要參數(shù)，也是電子產(chǎn)品熱設(shè)計的基礎(chǔ)。熱損耗可以通過試驗測量或者理論計算的方法確定。本文會連載幾篇介紹幾種常見電子器件熱損耗的理論計算方法，供諸君參考使用。
電子器件產(chǎn)生的熱量是其正常工作時必不可少的副產(chǎn)物。當(dāng)電流流過半導(dǎo)體或者無源器件時，一部分功率就會以熱能的形式散失掉，這部散失掉的功率稱為熱損耗，計算公式如下：
如果電壓或者電流隨著時間變化，那么熱損耗由平均熱損耗給出，可以用下面的公式表示：
當(dāng)然上面熱損耗的公式是一個籠統(tǒng)的公式，實際上對于不同的電子器件，公式都不一樣。后續(xù)我們會分別介紹有源器件CMOS、JunctionFET、MOSFET和無源器件導(dǎo)線、電阻、電容器、電感器和變壓器等熱損耗的理論計算公式。
